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数量:393 |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 140A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 141µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 198nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 16000pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 214W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 214W |
| 匹配代码 | IPB023N06N3 G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 0.7K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | TO263-7 |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 99 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| Q（克） | 149nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 140A |
| V（ DS ） | 60V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0023Ohm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 140 A |
| 系列 | IPB023N06 |
| RDS（ON） | 2.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 214 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 零件号别名 | IPB023N06N3GATMA1 |
| 配置 | Single Quint Source |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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